UMD5NTR
Número de pieza:
UMD5NTR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19459 Pieces
Ficha de datos:
UMD5NTR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:UMT6
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k, 10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):47k, 4.7k
Potencia - Max:150mW, 120mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:UMD5NTR
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
Descripción:TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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