TT8K11TCR
TT8K11TCR
Número de pieza:
TT8K11TCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17160 Pieces
Ficha de datos:
TT8K11TCR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1A
Paquete del dispositivo:8-TSST
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:71 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:TT8K11TCRTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:TT8K11TCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate, 4V Drive
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3A 1W Surface Mount 8-TSST
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A
Email:[email protected]

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