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TRS12E65C,S1Q
- Número de pieza:
- TRS12E65C,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19170 Pieces
- Ficha de datos:
- TRS12E65C,S1Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TRS12E65C,S1Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TRS12E65C,S1Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 12A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220-2L |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | TRS12E65C,S1Q(S TRS12E65CS1Q |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TRS12E65C,S1Q |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 90µA @ 170V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 12A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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