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TPW1R306PL,L1Q
- Número de pieza:
- TPW1R306PL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19393 Pieces
- Ficha de datos:
- TPW1R306PL,L1Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPW1R306PL,L1Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPW1R306PL,L1Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Vgs (Max): | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-DSOP Advance |
| Serie: | U-MOSIX-H |
| La disipación de energía (máximo): | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres: | TPW1R306PL,L1Q(M TPW1R306PLL1QTR |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TPW1R306PL,L1Q |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 260A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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