TPS1120DG4
Número de pieza:
TPS1120DG4
Fabricante:
Descripción:
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15528 Pieces
Ficha de datos:
TPS1120DG4.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max:840mW
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:TPS1120DG4
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.45nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:15V
Descripción:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.17A
Email:[email protected]

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