TPN4R203NC,L1Q
TPN4R203NC,L1Q
Número de pieza:
TPN4R203NC,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16878 Pieces
Ficha de datos:
TPN4R203NC,L1Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSVIII
RDS (Max) @Id, Vgs:4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta), 22W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:TPN4R203NC,L1Q(M
TPN4R203NCL1QTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TPN4R203NC,L1Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Ta)
Email:[email protected]

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