Comprar TPH8R80ANH,L1Q con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 500µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-SOP Advance (5x5) |
Serie: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
embalaje: | Original-Reel® |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
Otros nombres: | TPH8R80ANHL1QDKR |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TPH8R80ANH,L1Q |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |