TPH6R003NL,LQ
TPH6R003NL,LQ
Número de pieza:
TPH6R003NL,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17545 Pieces
Ficha de datos:
TPH6R003NL,LQ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 200µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:6 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta), 34W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:TPH6R003NL,LQ(S
TPH6R003NLLQTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TPH6R003NL,LQ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 38A (Tc) 1.6W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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