TPCA8105(TE12L,Q,M
Número de pieza:
TPCA8105(TE12L,Q,M
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18249 Pieces
Ficha de datos:
1.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf2.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 200µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP Advance (5x5)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:33 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta), 20W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPCA8105(TE12L,Q,M
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 6A (Ta) 1.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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