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TPC6006-H(TE85L,F)
- Número de pieza:
- TPC6006-H(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15777 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.TPC6006-H(TE85L,F).pdf2.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPC6006-H(TE85L,F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPC6006-H(TE85L,F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | VS-6 (2.9x2.8) |
| Serie: | U-MOSIII-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 75 mOhm @ 1.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPC6006-H(TE85L,F) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 251pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 40V 3.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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