TND525SS-TL-2H
Número de pieza:
TND525SS-TL-2H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IC DVR EXPD 600V 0.17A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15895 Pieces
Ficha de datos:
TND525SS-TL-2H.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:10 V ~ 20 V
Tensión - Carga:600V (Max)
Tecnología:Power MOSFET
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
Rds On (Tipo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuración de salida:Half Bridge (2)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TND525SS-TL-2H
Tipo de carga:Inductive
Interfaz:Logic
Caracteristicas:-
Protección contra fallos:-
Descripción ampliada:Half Bridge (2) Driver General Purpose Power MOSFET 8-SOIC
Descripción:IC DVR EXPD 600V 0.17A 8SOIC
Corriente - Salida Pico:200mA, 400mA
Corriente - Salida / Canal:-
aplicaciones:General Purpose
Email:[email protected]

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