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TK40P03M1(T6RDS-Q)
- Número de pieza:
- TK40P03M1(T6RDS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17476 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.TK40P03M1(T6RDS-Q).pdf2.TK40P03M1(T6RDS-Q).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TK40P03M1(T6RDS-Q), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TK40P03M1(T6RDS-Q) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Serie: | U-MOSVI-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.8 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | TK40P03M1T6RDSQ |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TK40P03M1(T6RDS-Q) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1150pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 40A (Ta) Surface Mount DPAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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