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TK31V60W5,LVQ
- Número de pieza:
- TK31V60W5,LVQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17534 Pieces
- Ficha de datos:
- TK31V60W5,LVQ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TK31V60W5,LVQ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TK31V60W5,LVQ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serie: | DTMOSIV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 109 mOhm @ 15.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 240W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-VSFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5LVQTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TK31V60W5,LVQ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 300V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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