TK25E60X5,S1X
TK25E60X5,S1X
Número de pieza:
TK25E60X5,S1X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15308 Pieces
Ficha de datos:
TK25E60X5,S1X.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:DTMOSIV-H
RDS (Max) @Id, Vgs:140 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):180W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:TK25E60X5,S1X(S
TK25E60X5S1X
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK25E60X5,S1X
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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