TK20E60W,S1VX
TK20E60W,S1VX
Número de pieza:
TK20E60W,S1VX
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19497 Pieces
Ficha de datos:
TK20E60W,S1VX.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TK20E60W,S1VX, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TK20E60W,S1VX por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar TK20E60W,S1VX con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:155 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):165W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK20E60W,S1VX
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios