TK16J60W,S1VQ
TK16J60W,S1VQ
Número de pieza:
TK16J60W,S1VQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17667 Pieces
Ficha de datos:
TK16J60W,S1VQ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 790µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P(N)
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 7.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):130W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TK16J60W,S1VQ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15.8A (Ta)
Email:[email protected]

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