Comprar TK16E60W5,S1VX con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 790µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220 |
Serie: | DTMOSIV |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 230 mOhm @ 7.9A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 130W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | TK16E60W5,S1VX(S TK16E60W5S1VX |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | TK16E60W5,S1VX |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 300V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 15.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |