TK14N65W5,S1F
TK14N65W5,S1F
Número de pieza:
TK14N65W5,S1F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14626 Pieces
Ficha de datos:
TK14N65W5,S1F.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 690µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 6.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):130W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:TK14N65W5,S1F(S
TK14N65W5S1F
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK14N65W5,S1F
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

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