Comprar TK12V60W,LVQ con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.7V @ 600µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 5-DFN (8x8) |
Serie: | DTMOSIV |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 104W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 4-VSFN Exposed Pad |
Otros nombres: | TK12V60WLVQTR |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | TK12V60W,LVQ |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 300V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Super Junction |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (8x8) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |