TK12V60W,LVQ
TK12V60W,LVQ
Número de pieza:
TK12V60W,LVQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19552 Pieces
Ficha de datos:
TK12V60W,LVQ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 600µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:5-DFN (8x8)
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 5.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):104W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-VSFN Exposed Pad
Otros nombres:TK12V60WLVQTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TK12V60W,LVQ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (8x8)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
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