Comprar TJ10S04M3L(T6L1,NQ con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DPAK+ |
Serie: | U-MOSVI |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 44 mOhm @ 5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 27W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | TJ10S04M3L(T6L1NQ TJ10S04M3LT6L1NQ |
Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 930pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 40V 10A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
Descripción: | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
Email: | [email protected] |