TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Número de pieza:
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14808 Pieces
Ficha de datos:
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Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK+
Serie:U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs:44 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):27W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:TJ10S04M3L(T6L1NQ
TJ10S04M3LT6L1NQ
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:930pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 40V 10A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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