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TH58BYG2S3HBAI6
- Número de pieza:
- TH58BYG2S3HBAI6
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14102 Pieces
- Ficha de datos:
- TH58BYG2S3HBAI6.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TH58BYG2S3HBAI6, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TH58BYG2S3HBAI6 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Velocidad: | 25ns |
| Serie: | Benand™ |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 67-VFBGA |
| Otros nombres: | TH58BYG2S3HBAI6JDH TH58BYG2S3HBAI6YCL |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Formato de memoria: | EEPROM |
| Número de pieza del fabricante: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA |
| Email: | [email protected] |
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