TF262TH-4-TL-H - ON Semiconductor - Transistores-JFETs TF262TH-4-TL-H

TF262TH-4-TL-H

Número de pieza:: TF262TH-4-TL-H

Fabricante:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Descripción:: JFET N-CH 1MA 100MW

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 19195 Pieces

Ficha de datos:: TF262TH-4-TL-H.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:	200mV @ 1µA
Paquete del dispositivo:	VTFP
Serie:	-
Resistencia - RDS (on):	-
Potencia - Max:	100mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	3-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	TF262TH-4-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	3.5pF @ 2V
Tipo FET:	N-Channel
Descripción ampliada:	JFET N-Channel 140µA @ 2V 100mW Surface Mount VTFP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:	-
Descripción:	JFET N-CH 1MA 100MW
Consumo de corriente (Id) - Max:	1mA
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):	140µA @ 2V
Email:	[email protected]

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