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TC7SZ00FE,LJ(CT
- Número de pieza:
- TC7SZ00FE,LJ(CT
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- IC GATE NAND 1CH 2-INP ESV
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12496 Pieces
- Ficha de datos:
- TC7SZ00FE,LJ(CT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TC7SZ00FE,LJ(CT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TC7SZ00FE,LJ(CT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 1.65 V ~ 5.5 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | ESV |
| Serie: | TC7SZ |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-553 |
| Otros nombres: | TC7SZ00FE,LJ(CB TC7SZ00FELJ(CTTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Número de entradas: | 2 |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max retraso de propagación @ V, máx CL: | 3.6ns @ 5V, 50pF |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TC7SZ00FE,LJ(CT |
| Tipo de lógica: | NAND Gate |
| Lógica - Bajo: | - |
| Lógica - Alto: | - |
| Caracteristicas: | - |
| Descripción ampliada: | NAND Gate IC 1 Channel ESV |
| Descripción: | IC GATE NAND 1CH 2-INP ESV |
| Corriente - Reposo (Máx): | 2µA |
| Actual - salida alta, bajo: | 32mA, 32mA |
| Email: | [email protected] |
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