TC58NVG2S0HBAI4
TC58NVG2S0HBAI4
Número de pieza:
TC58NVG2S0HBAI4
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17915 Pieces
Ficha de datos:
TC58NVG2S0HBAI4.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:2.7 V ~ 3.6 V
Paquete del dispositivo:63-TFBGA (9x11)
Velocidad:25ns
Serie:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:63-VFBGA
Otros nombres:TC58NVG2S0HBAI4JDH
TC58NVG2S0HBAI4YCL
TC58NVG2S0HBIAJDH
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Non-Volatile
Tamaño de la memoria:4Gb (512M x 8)
Formato de memoria:EEPROM
Número de pieza del fabricante:TC58NVG2S0HBAI4
Interfaz:Parallel
Descripción:IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA
Email:[email protected]

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