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TC58CVG2S0HRAIG
- Número de pieza:
- TC58CVG2S0HRAIG
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14364 Pieces
- Ficha de datos:
- TC58CVG2S0HRAIG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TC58CVG2S0HRAIG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TC58CVG2S0HRAIG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-WSON (6x8) |
| Velocidad: | 104MHz |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | TC58CVG2S0HRAIGBAH TC58CVG2S0HRAIGY0J TC58CVG2S0HRAIGYCJ |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Número de pieza del fabricante: | TC58CVG2S0HRAIG |
| Interfaz: | SPI Serial |
| Descripción: | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V |
| Email: | [email protected] |
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