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TC58BVG2S0HBAI4
- Número de pieza:
- TC58BVG2S0HBAI4
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19486 Pieces
- Ficha de datos:
- TC58BVG2S0HBAI4.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TC58BVG2S0HBAI4, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TC58BVG2S0HBAI4 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 63-TFBGA (9x11) |
| Velocidad: | 25ns |
| Serie: | Benand™ |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 63-VFBGA |
| Otros nombres: | ASTC58BVG2S0HBAI4 TC58BVG2S0HBAI4JDH TC58BVG2S0HBAI4YCL TC58BVG2S0HBAIJDH |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Formato de memoria: | EEPROM |
| Número de pieza del fabricante: | TC58BVG2S0HBAI4 |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA |
| Email: | [email protected] |
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