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SZESD8351MUT5G
- Número de pieza:
- SZESD8351MUT5G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16470 Pieces
- Ficha de datos:
- SZESD8351MUT5G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SZESD8351MUT5G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SZESD8351MUT5G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 3.3V (Max) |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | 11.2V |
| Voltaje - Desglose (Min): | 5.5V |
| Canales unidireccionales: | 1 |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | 2-X3DFN (0.62x0.32) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-XFDFN |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 25 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SZESD8351MUT5G |
| Descripción: | TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | 5A (8/20µs) |
| Capacitancia Frecuencia: | 0.37pF @ 1MHz |
| aplicaciones: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
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