SUD35N05-26L-E3
SUD35N05-26L-E3
Número de pieza:
SUD35N05-26L-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19074 Pieces
Ficha de datos:
SUD35N05-26L-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):7.5W (Ta), 50W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SUD35N05-26L-E3-ND
SUD35N05-26L-E3TR
SUD35N0526LE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SUD35N05-26L-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:885pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 35A (Tc) 7.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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