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STW70N60M2-4
- Número de pieza:
- STW70N60M2-4
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- POWER MOSFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14966 Pieces
- Ficha de datos:
- STW70N60M2-4.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STW70N60M2-4, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STW70N60M2-4 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | MDmesh™ M2 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 40 mOhm @ 34A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 450W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | STW70N60M2-4 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5200pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 68A (Tc) 450W (Tc) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | POWER MOSFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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