Comprar STTH4R06DEE-TR con BYCHPS
Compre con garantía
STTH4R06DEE-TR
- Número de pieza:
- STTH4R06DEE-TR
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15525 Pieces
- Ficha de datos:
- STTH4R06DEE-TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STTH4R06DEE-TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STTH4R06DEE-TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 4A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 50ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | 497-13333-2 STTH4R06DEETR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | STTH4R06DEE-TR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 4A Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 3µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 4A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de STTH4R06DEE-TR
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH40P03SFP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220FP | Investigación |
 |
STTH4R02B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Investigación |
 |
STTH4R02S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | Investigación |
|
STTH4R02SY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | Investigación |
 |
STTH4R02FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP | Investigación |
 |
STTH4R02 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | Investigación |
 |
STTH4R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | Investigación |
 |
STTH4R02BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Investigación |
 |
STTH4R02D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC | Investigación |
|
STTH4R02RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | Investigación |
|
STTH4R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | Investigación |
|
STTH4R02B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers