STP160N4LF6
STP160N4LF6
Número de pieza:
STP160N4LF6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15061 Pieces
Ficha de datos:
STP160N4LF6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs:2.9 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-15556-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:STP160N4LF6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8130pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:181nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 120A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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