STL4P3LLH6
STL4P3LLH6
Número de pieza:
STL4P3LLH6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19370 Pieces
Ficha de datos:
STL4P3LLH6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerFlat™ (2x2)
Serie:DeepGATE™, STripFET™ H6
RDS (Max) @Id, Vgs:56 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.4W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-PowerWDFN
Otros nombres:497-15510-2
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:STL4P3LLH6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:639pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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