STH320N4F6-6
STH320N4F6-6
Número de pieza:
STH320N4F6-6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14642 Pieces
Ficha de datos:
STH320N4F6-6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:H²PAK
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs:1.3 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres:497-13838-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STH320N4F6-6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13800pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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