STH12N120K5-2
STH12N120K5-2
Número de pieza:
STH12N120K5-2
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19467 Pieces
Ficha de datos:
STH12N120K5-2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:H2Pak-2
Serie:MDmesh™ K5
RDS (Max) @Id, Vgs:690 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Otros nombres:497-15425-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:STH12N120K5-2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:44.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 12A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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