STFI4N62K3
STFI4N62K3
Número de pieza:
STFI4N62K3
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13340 Pieces
Ficha de datos:
STFI4N62K3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAKFP (TO-281)
Serie:SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres:497-13268-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STFI4N62K3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 620V 3.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:620V
Descripción:MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Tc)
Email:[email protected]

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