STD9NM50N-1
STD9NM50N-1
Número de pieza:
STD9NM50N-1
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18412 Pieces
Ficha de datos:
STD9NM50N-1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs:560 mOhm @ 3.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STD9NM50N-1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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