STB180N55F3
STB180N55F3
Número de pieza:
STB180N55F3
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16611 Pieces
Ficha de datos:
STB180N55F3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STB180N55F3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STB180N55F3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar STB180N55F3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):330W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-7939-2
STB180N55F3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STB180N55F3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios