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SSM6N55NU,LF(T
- Número de pieza:
- SSM6N55NU,LF(T
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15133 Pieces
- Ficha de datos:
- SSM6N55NU,LF(T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM6N55NU,LF(T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM6N55NU,LF(T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 6-µDFN(2x2) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 46 mOhm @ 4A, 10V |
| Potencia - Max: | 1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | SSM6N55NU,LF SSM6N55NU,LF(B SSM6N55NULF SSM6N55NULF(TTR SSM6N55NULFTR SSM6N55NULFTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SSM6N55NU,LF(T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 280pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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