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SSM6K217FE,LF
- Número de pieza:
- SSM6K217FE,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15593 Pieces
- Ficha de datos:
- SSM6K217FE,LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM6K217FE,LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM6K217FE,LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | ES6 |
| Serie: | U-MOSVII-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 195 mOhm @ 1A, 8V |
| La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FELFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SSM6K217FE,LF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 130pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.1nC @ 4.2V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 40V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 8V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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