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SSM4K27CTTPL3
- Número de pieza:
- SSM4K27CTTPL3
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V .5A CST4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17412 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.SSM4K27CTTPL3.pdf2.SSM4K27CTTPL3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM4K27CTTPL3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM4K27CTTPL3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | CST4 (1.2x0.8) |
| Serie: | U-MOSIII |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 205 mOhm @ 250mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 400mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, No Lead |
| Otros nombres: | SSM4K27CT(TPL3) SSM4K27CT(TPL3)TR SSM4K27CT(TPL3)TR-ND SSM4K27CTTPL3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SSM4K27CTTPL3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 174pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V .5A CST4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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