SQJ456EP-T1_GE3
SQJ456EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ456EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16893 Pieces
Ficha de datos:
SQJ456EP-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 9.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8
Otros nombres:SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQJ456EP-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3342pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:63nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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