SQ4917EY-T1_GE3
Número de pieza:
SQ4917EY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19346 Pieces
Ficha de datos:
SQ4917EY-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:48 mOhm @ 4.3A, 10V
Potencia - Max:5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SQ4917EY-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQ4917EY-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1910pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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