Comprar SPW11N80C3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.9V @ 680µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO247-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 156W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
Otros nombres: | SP000013703 SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3IN SPW11N80C3X SPW11N80C3XK SPW11N80C3XTIN SPW11N80C3XTIN-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SPW11N80C3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 85nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |