SPS04N60C3BKMA1
SPS04N60C3BKMA1
Número de pieza:
SPS04N60C3BKMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16216 Pieces
Ficha de datos:
SPS04N60C3BKMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 200µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:950 mOhm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres:SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPS04N60C3BKMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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