Comprar SPP80P06PBKSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 5.5mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO-220-3 |
Serie: | SIPMOS® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 23 mOhm @ 64A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 340W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | SP000012840 SPP80P06P SPP80P06PIN SPP80P06PIN-ND SPP80P06PX SPP80P06PXK SPP80P06PXTIN SPP80P06PXTIN-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SPP80P06PBKSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5033pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 173nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |