SPP18P06P H
SPP18P06P H
Número de pieza:
SPP18P06P H
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19175 Pieces
Ficha de datos:
SPP18P06P H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:130 mOhm @ 13.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):81.1W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:SPP18P06P H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18.7A (Ta)
Email:[email protected]

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