SPP16N50C3HKSA1
SPP16N50C3HKSA1
Número de pieza:
SPP16N50C3HKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16723 Pieces
Ficha de datos:
SPP16N50C3HKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 675µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:280 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):160W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SPP16N50C3
SPP16N50C3IN
SPP16N50C3IN-ND
SPP16N50C3X
SPP16N50C3XK
SPP16N50C3XTIN
SPP16N50C3XTIN-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPP16N50C3HKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 560V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:560V
Descripción:MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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