Comprar SPP16N50C3HKSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.9V @ 675µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO220-3-1 |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 280 mOhm @ 10A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 160W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | SPP16N50C3 SPP16N50C3IN SPP16N50C3IN-ND SPP16N50C3X SPP16N50C3XK SPP16N50C3XTIN SPP16N50C3XTIN-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SPP16N50C3HKSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 560V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 560V |
Descripción: | MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |