SPP15P10PGHKSA1
SPP15P10PGHKSA1
Número de pieza:
SPP15P10PGHKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13654 Pieces
Ficha de datos:
SPP15P10PGHKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.1V @ 1.54mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 10.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):128W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SP000212313
SPP15P10P G
SPP15P10P G-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPP15P10PGHKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1280pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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