SPP11N60C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1
Número de pieza:
SPP11N60C3XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17513 Pieces
Ficha de datos:
SPP11N60C3XKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:380 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:SPP11N60C3XKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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