Comprar SPP04N60S5BKSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5.5V @ 200µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO220-3-1 |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 50W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | SP000012363 SP000681026 SPP04N60S5 SPP04N60S5-ND SPP04N60S5IN SPP04N60S5IN-ND SPP04N60S5X SPP04N60S5XK |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SPP04N60S5BKSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22.9nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |